Selliseid materjale on viimastel aastatel loodud ja avastatud ridamisi, kõige tuntum neist on süsinikuaatomitest kihtmaterjal grafeen, mille avastajad on ka Nobeli auhinna saanud.

Ka boorist on õhukest materjali borofeeni juba tehtud, kuid seni on see olnud väga ebastabiilne. Stabiilne on borofeen vaakumis, kuid õhu käes oksüdeerub imekiiresti.

Mark Hersam Ameerika Ühendriikidest Illinois' osariigist Evanstonist Northwesterni Ülikoolist ja ta kolleegid on nüüd avastanud võtte, kuidas erakordselt õhukest boorikihti ka õhu käes kasutuskõlblikuna hoida.

Selleks lasevad nad borofeenil reageerida vesinikuaatomitega. Nii tekibki uus ja stabiilne õhuke materjal, mille nimi on borofaan.

Borofaani omakorda saab aga soovi korral borofeeniks tagasi teha, ja seejuures ka nii, et selle pinnale jääb hapnikuga mittereageeriva aine kiht.

Selleks tuleb borofaan lihtsalt selle ainega katta ning kuumutada, kuni vesinik lahkub. Nii on meil nüüd ka täiesti stabiilne borofeen olemas.

Borofeen kui borofaan on tugevad, paindlikud ja hea elektrijuhtivusega materjalid, millele võib leida rohkesti nutikaid rakendusi, näiteks elektroonikas.

Hersam ja kaasautorid kirjutavad oma tulemustest ajakirjas Science.

Teadusuudised on Vikerraadios eetris esmaspäevast reedeni ca kell 8.35 ja laupäeval ca kell 8.25